【題目】硅光電池是一種太陽能電池,具有低碳環保的優點。如圖所示,圖線a是該電池在某光照強度下路端電壓U和電流I變化的關系圖象(電池電動勢不變,內阻不是定值),圖線b是某電阻R的U–I圖象。在該光照強度下將它們組成閉合回路時,下列說法中正確的是
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A. 硅光電池的內阻為10Ω
B. 硅光電池的總功率為0.72W
C. 硅光電池的內阻消耗的熱功率為0.32 W
D. 若將R換成阻值更大的電阻,硅光電池的輸出功率增大
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【題目】如圖是某金屬在光的照射下產生的光電子的最大初動能Ek與入射光頻率ν的關系圖象.由圖象可知錯誤的是( )
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A. 該金屬的逸出功等于E
B. 該金屬的逸出功等于hν0
C. 入射光的頻率為2ν0時,產生的光電子的最大初動能為E
D. 入射光的頻率為
時,產生的光電子的最大初動能為![]()
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【題目】某交流發電機產生的感應電動勢與時間的關系如圖所示,下列說法正確的是 ( )
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A. t=0時刻發電機的轉動線圈位于中性面
B. 在1s內發電機的線圈繞軸轉動50圈
C. 將此交流電接到匝數比是1∶10的升壓變壓器上,副線圈的電壓為2200
V
D. 將此交流電與耐壓值是220V的電容器相連,電容器不會被擊穿
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【題目】在一個很小的矩形半導體薄片上,制作四個電極E、F、M、N,做成了一個霍爾元件,在E、F間通入恒定電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,M、N間的電壓為UH.已知半導體薄片中的載流子為正電荷,電流與磁場的方向如圖所示,下列說法正確的有( )
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A. N板電勢高于M板電勢
B. 磁感應強度越大,MN間電勢差越大
C. 將磁場方向變為與薄片的上、下表面平行,UH不變
D. 將磁場和電流分別反向,N板電勢低于M板電勢
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【題目】太陽現在正處于主序星演化階段
它主要是由電子和
H、
等原子核組成
維持太陽輻射的是它內部的核聚變反應,核反應方程是:
釋放核能,這些核能最后轉化為輻射能.
已知質子質量
,氦核的質量
,電子質量
,光速
試求每發生一次上述核反應所釋放的核能;
用上述輻射中產生的波長為400nm某一單色光去照射逸出功為
金屬材料銫時,能否產生光電效應?若能,試求出產生的光電子的最大初動能
保留三位有效數字,普朗克常量![]()
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【題目】如圖所示,兩根足夠長的平行金屬導軌固定在傾角θ=30°的斜面上,導軌 電阻不計,間距L=0.4m,導軌所在空間被分成區域Ⅰ和Ⅱ,兩區域的邊界與斜面的交線為MN,Ⅰ中的勻強磁場方向垂直斜面向下,Ⅱ中的勻強磁場方向垂直斜面向上,兩磁場的磁感應強度大小均為B=0.5T,在區域Ⅰ中,將質量m1=0.1kg,電阻R1=0.1Ω的金屬條ab放在導軌上,ab剛好不下滑,然后,在區域Ⅱ中將質量m2=0.4kg,電阻R2=0.1Ω的光滑導體棒cd置于導軌上,由靜止開始下滑,cd在滑動過程中始終處于區域Ⅱ的磁場中,ab、cd始終與導軌垂直且兩端與導軌保持良好接觸,取g=10m/s2,求:
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(1)cd下滑的過程中,ab中的電流方向?
(2)ab剛要向上滑動時,cd的速度
多大?
(3)從cd開始下滑到ab剛要向上滑動的過程中,cd滑動的距離x=3.8m,此過程 中ab上產生的熱量Q是多少?
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【題目】如圖所示為離子分析裝置的簡化模型,空間存在以虛線OP為分界線的范圍足夠寬廣勻強電場和勻強磁場,電場方向與分界線垂直,電場強度大小E磁感應強度大小B,OP=a。現有某一速率為v的正離子從O點垂直于OP飛入勻強磁場區域,經兩個半圓周后豎直向上通過P點,不計離子的重力及空氣阻力,求:
(1)該正離子的比荷;
(2)該正離子從O點出發到豎直向上通過P點全程所用的時間
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【題目】如圖所示電路中,閉合開關S,當滑動變阻器的滑動觸頭P向右滑動時,下列說法正確的是
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A. 電流表、電壓表讀數均變大
B. 電源內部發熱功率變小
C. 電源總功率變大
D. 電源效率先增大后減小
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【題目】如圖所示,豎直玻璃管粗細均勻,上端開口,下端封閉有長度L1=30cm的理想氣體,中間水銀柱長h=24cm。在豎直管中間接一水平玻璃管,右端開口于大氣相通,管的直徑與豎直部分相同,用光滑活塞封閉足夠長的水銀柱,已知外界大氣壓強p0=76cmHg,保持環境溫度恒為T1=300K,現用外力緩慢向左推活塞,使下端氣柱長變為L2=25cm,求:
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①氣柱長度為L2=25cm時,活塞移動的距離d;
②若活塞左移①中的距離d后固定,對玻璃管緩慢加熱,使下端氣柱長又變回L1,求此時封閉氣體的溫度T2.
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